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PECVD氮化硅設備考慮和應用--《微電子學與計算機》年期細線條發(fā)展過程氮化硅鈍化氮化硅膜鈍化膜均勻度膜試驗生產量溫度射頻頻率。氮化硅膜射頻頻率及硅烷的試驗過程。確定了適合于大面積電路鈍化膜的設備條件.。


氮化硅干法刻蝕工藝設備模型的試驗與測量--《微電子學》年期摘要:通過對氮化硅薄膜干法刻蝕工藝實驗結果的測量,得到硅片表面非均勻性分布的具體測量數據,并對這種現象的成因進行了定性的理論分析,為下一步建立刻蝕工藝設備模。


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低壓燃燒合成氮化硅或氮化硅鐵的方法及設備_查詢_下載_。控制氮氣壓力為.~Mpa,并在℃~℃之間進行連續(xù)或間斷燃燒合成;d)將燃燒合成后的氮化硅或氮化硅鐵自然冷卻或強制冷卻,再經球磨機、振動磨機或其它磨碎設備制。













